李明鹤，彭 雷，王文峰

（湖北大学物理与电子科学技术学院，武汉 430000）

氮化铝-铝复合封装基板的制备*

李明鹤，彭 雷，王文峰

（湖北大学物理与电子科学技术学院，武汉 430000）

采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜，制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态，抗电强度超过700 V/μm，阳极氧化铝抗电强度达75 V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10 μm、氮化铝膜约1 μm时，制备的复合封装基板击穿电压超过1350 V，绝缘电阻率1.7×106MΩ·cm，氮化铝与铝板的结合强度超过8 MPa；阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题，在260 ℃热冲击下，铝板未发生形变，氮化铝膜未破裂，电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率，当该复合基板应用于LED芯片COB封装时，有助于提高封装光效。

金属基板；氮化铝；阳极氧化铝；COB封装

1 引言

应用于照明领域的LED功率不断提高，其散热问题日益突出，开发新的封装方式与散热材料成为LED照明技术的核心问题[1~4]。Chip on Board（COB）封装因具有更小的热阻而成为一种极具潜力的封装形式[1]。高可靠性的COB封装基板必须具有高热导率、高绝缘性及与芯片匹配的热膨胀系数TEC；当应用于LED封装时，为了获得高出光率，封装基板需兼具高反射率[1]。

目前应用于封装的基板材料主要包括金属与陶瓷[2]。金属基板中镜面铝虽具有高热导率与高反射率，然而其TEC失配与绝缘性问题导致其可靠性较差。陶瓷材料中氮化铝（AlN）各方面性能优越，但成本高，加工困难[5]。……