石墨烯晶体管的加工及测试研究
2014-03-21王永存薛晨阳刘耀英田学东张文栋
仪表技术与传感器 2014年2期
关键词:结构
王永存,薛晨阳,刘耀英,田学东,张文栋,李 铁
(1.中北大学,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,电子测试技术重点实验室 山西太原 030051;2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050)
0 引言
石墨烯(Graphene)是一种由碳原子构成的零带隙二维纳米结构的新材料,2004年由英国曼彻斯特大学物理学家安德烈-海姆和康斯坦丁-诺沃肖洛夫从石墨中分离出来,证明了二维材料石墨烯可以稳定存在。石墨烯是现有材料中最薄的,它的厚度只有0.335 nm,但它却是现有材料中最坚硬的。同时石墨烯的导热系数高达5 300 W/(m·K),这一数值高于金刚石,常温下石墨烯中电子的迁移率约为15 000 cm/(V·s),远高于硅中电子的迁移率。由于石墨烯具有优异的电学特性,所以它非常适合用来制造电子元件,科学家认为石墨烯有望替代硅成为下一代半导体材料[1-4]。石墨烯的制备方法主要有机械剥离法、化学气相沉积法和热分解法等。机械剥离法可以制备晶格完好的高质量石墨烯,但是不适合大量生产;热分解法可以制备大面积石墨烯,但是条件苛刻,需在高温高真空下进行;化学气相沉积方法是最适合大面积制备石墨烯薄膜的方法。化学气相沉积法具有工艺限制条件少和可控性高等优点,现在大面积制备石墨烯薄膜多采用这种方法[5-6]。
石墨烯晶体管以石墨烯薄膜作为导电沟道,一方面石墨烯薄膜厚度很薄,可以加工成几纳米宽的条状,大大缩小晶体管器件尺寸,延续摩尔定律;另一方面,石墨烯电子迁移率高,可以提高晶体管的响应速度,使晶体管具有更高的截止频率[7-8]。……
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