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硅振荡器的抗高过载实验设计与分析

2013-12-21赵冬青甄国涌

电子器件 2013年3期
关键词:实验

赵冬青 ,赵 杰,甄国涌,王 强,陈 倩

(1.中北大学机电工程学院,太原030051;2.中北大学电子测试技术国家重点实验室,太原030051;3.中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051;4.太原市华纳方盛科技有限公司;5.航天长征火箭技术有限公司)

石英晶体振荡器自其问世以来,就以其高精度和高稳定度迅速占领了振荡器市场。然而在对电子系统进行炮击实验过程中屡次出现了这样的问题:为系统提供时钟脉冲的石英晶体振荡器发生损坏,整个系统停止工作。出现这种问题是由于石英晶体振荡器以机械方式工作,而且晶体内部组件易磨损,在高过载环境下,内部组件磨损严重以至于彻底损坏[1]。在军事领域,抗过载能力是衡量电子元器件性能的重要指标[2]。尤其是在弹上的应用中,对电子元器件这项指标的要求更为苛刻[3]。为使电子系统在高过载条件下可靠地工作,须找到一种振荡器来代替石英晶体振荡器为系统提供稳定的时钟脉冲。

硅振荡器完全摒弃了机械起振方式,不存在磨损的问题,理论上它不受高过载的影响[4],但在实际的应用中并没有得到验证。高过载环境对硅振荡器的主要影响有两个方面:一是可能产生频率的漂移,二是可能像损坏石英晶体振荡器一样损坏硅振荡器[5]。本文针对以上两个方面对硅振荡器进行了实验。

实验的主要目的是为了验证硅振荡器能够承受高过载环境的考验,从而代替石英晶体振荡器应用在电子系统中。……

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