陈金环 刘学兰

（1.广东环境保护工程职业学院 学生工作处，广东 佛山 518216；2.华南师范大学 心理学院，广东 广州 510631）

责任编辑 韩玺吾 E－mail：shekeban＠163.com

Nelson等人综合众多相关研究，将元记忆监测和元记忆控制之间的关系作为元记忆的一个基本理论假定：监测影响控制（简称MC 模型），监测是控制的基础，控制的进行有助于实现更为有效的监测。根据MC模型，学习中，学习者监测自己当前的学习状态是否达到了预设目标，并根据监测的结果来决定是否继续学习刚才的项目，还是进入下一阶段的学习，而为了缩短当前学习状态与预设目标之间的距离，他们会花更多的学习时间，去弥补困难项目固有的特质。［1］

一、元记忆监控的理论模型进展

（一）控制影响监测——CM 模型及其由来

Koriat等人提出了与MC模型方向相反的CM模型，即控制影响监测的观点，认为元记忆监测有时根据从控制操作中得到的反馈来进行，是跟随着控制过程进行而不是发生在控制过程之前的。［1］

CM 模型的提出，是基于研究者对记忆加工系统中控制作用的功能形式之一——学习时间分配既具有控制功能又具有监测功能的发现中得出的。在Koriat的1983年一项未公开发表的研究中，将学习条件分为自定步调和固定步调两种，结果发现，两种条件下的学习时间和EOL 值之间相关分别高达－0.82和－0.80，并且学习时间和回忆成绩也都呈负相关关系；进而研究中要求被试做EOL 和JOL，结果发现，项目的平均EOL值和JOL 值，两种条件分别高达0.95和0.94的高相关。由此可见，当学习时间可以自由分配时，学习者并没有分配更多的时间到被判断为困难的项目上。……