崔虹云，张海丰，吴云飞，李祖君，王 超，董艳红

（1.佳木斯大学理学院，黑龙江 佳木斯154007；2.黑龙江大学，黑龙江 哈尔滨150001）

随着纳米科技的迅速发展和人们对硅基薄膜材料的广泛使用，采用硅基薄膜作为应变敏感材料制成的半导体压阻式压力传感器在军事、航天、航空、汽车、环境监控、生物医学以及人们生活所能接触到的所有领域中都有着十分广阔的应用［1－2］。硅基薄膜凭借其良好的机械性能成为近年来半导体材料的研究热点，而纳米技术又是当今科技发展中最活跃的领域之一，多晶硅纳米薄膜（polysilicon nanofilms，PSNF）属于纳米材料的范畴，该薄膜材料具有应变灵敏度高、温度特性稳定、制备技术成熟、可靠等优于普通多晶硅薄膜的优点，所以其在压阻式压力传感器应用中是一种极具前景的功能材料［3－6］。金属和半导体的欧姆接触，无论是对半导体器件性能还是对半导体物理特性的研究都非常重要，而本文制作成的传感器的桥壁电阻变化量为千分之几，即几欧姆，因此，欧姆接触（ohmic contact）直接影响到传感器的精度、稳定性与可靠性。文章对多晶硅纳米膜欧姆接触特性进行研究，以获取更加高的欧姆接触特性，对其实用化有着非常重要的意义。

1 实 验

以双面抛光（100）厚度为400μm的单晶硅片作为衬底，清洗干净后利用LPCVD在硅片正面淀积厚度为80nm的多晶硅纳米薄膜，利用PECVD，在硅片正面淀积一层二氧化硅层，厚度为100nm；然后通过离子注入对多晶硅纳米膜进行硼掺杂，注入的剂量为3.8×1015cm－2。……