卢兆信

(临沂大学机械工程学院，临沂 276005)

(2012年12月20日收到;2013年2月1日收到修改稿)

1 引言

近年来，由于薄膜制备技术日益发展成熟及其在各种领域中的广泛应用，一直以来铁电薄膜都是实验制备和理论研究的热点之一[1-3].迄今为止，对铁电薄膜的理论研究主要有两种方法：一种是采用朗道-德文希尔的唯象理论[4-9]，另一种是采用微观理论的横场伊辛模型[10-13].横场伊辛模型通常被用来描述有序—无序型铁电体的相变，现在已被成功地应用于对铁电薄膜相变性质的研究，比如BaTiO3和SrTiO3薄膜[2,3].薄膜中存在的尺寸效应和表面效应都会显著地影响它的相变性质.因为横场伊辛模型不能被精确地求解，导致许多近似方法被用来计算薄膜的相变性质，比如平均场近似[10-24]、格林函数方法[25,26]和关联有效场理论[27-31].关联有效场理论是一种基于自旋关联和微分算子技术并且相当于泽尔尼克近似的方法，Kaneyoshi[27]对其进行改进和推广，使其成功地用来研究横场伊辛薄膜的各种相变性质.同时，Kaneyoshi[28]进一步将平均场近似、关联有效场理论和退耦合近似三种理论方法进行了比较，结果表明关联有效场理论是一种优于平均场近似的方法，利用它计算时可以得到比平均场近似更为精确的结果.最近Arhchoui等[30]和我们研究小组[31]分别利用关联有效场理论对双表面铁电薄膜的相变性质进行了讨论.但据我们所知，利用关联有效场理论针对多表面层的铁电薄膜(Ns＞2)的相变性质的研究还没有……