朱青山，方瑞明

（华侨大学 信息科学与工程学院，福建 厦门 361021）

磁阀式可控电抗器MCR （MagneticallyControlled Reactor）型动态无功补偿装置（SVC）作为近年来受到广泛关注的动态无功补偿装置，具有可靠性高、寿命长、维护简单、适用电压范围广、产生谐波小和成本较低等显著优点[1-2]，很好地克服了晶闸管控制电抗器（TCR）型动态无功补偿装置的诸多缺点。作为MCR型SVC的核心部分，磁阀式可控电抗器本身的性能很大程度上决定了整个动态无功补偿装置的性能[3]，相比于TCR的直接控制晶闸管导通角调节电抗器容量的技术，磁阀式可控电抗器采用的是磁饱和技术控制电抗器容量的变化，受磁饱和响应时间的影响，整个动态无功补偿装置的响应时间就成为了一个不可忽视的问题。

1 磁阀式可控电抗器的电路分析

1.1 结构原理和等效电路

图1为MCR的结构原理图，关于MCR的结构原理，参考文献[4]和[5]中都有详细说明。

图1 MCR结构原理图

在MCR工作过程中，只有小截面段铁芯处于磁饱和状态，其余段均处于未饱和的线性状态，轮流触发导通晶闸管K1和K2，产生直流控制电流，控制铁芯的饱和程度，从而达到控制电抗器容量的目的。

1.2 响应时间

磁阀式可控电抗器的响应时间指的是电抗器容量从空载变化到额定值时所需的调节时间。可控电抗器的响应时间由下式确定[6]：

其中，n为可控电抗器容量从空载到额定值的工频周期数，δ为抽头比。可以看出n与δ近似成反比。

1.3 有功损耗

由于磁阀式可控电抗器的品质因数在100以上，因此其绕组电阻值相对来说很小。……