中国科学院微电子研究所 ■ 陈晨 贾锐 李昊峰 金智 刘新宇

一 引言

硅基纳米线阵列太阳电池是下一代新型高效太阳电池结构之一，作为国际光伏领域的研究前沿，得到了广泛关注[1～3]。硅基纳米线阵列太阳电池具有超低的表面反射率，能极大地提高传统晶体硅太阳电池的光吸收特性，并且其具有一维载流子输运特性，具备了未来高效晶体硅太阳电池的潜在特点。因此，纳米线阵列可取代传统电池结构中的金字塔结构形成纳米线阵列太阳电池。

目前，关于硅基纳米线阵列太阳电池结构可根据p-n位置分为三类：硅纳米线阵列绒面晶体硅太阳电池、径向p-n结纳米线阵列太阳电池和轴向p-n结纳米线阵列太阳电池。在纳米线阵列的制备方面，Ag无电催化腐蚀法能够在硅衬底表面制备出表面反射率小于2%的硅纳米线阵列。然而，直至目前基于无电化学腐蚀法制备的纳米线阵列太阳电池的最终转换效率仍然不高。基于之前的研究认为：由于纳米线阵列电池的电极接触面积较小，导致电极接触特性恶化是转化换效率难以提高的主要原因之一。这也成为纳米线阵列太阳电池的研究重点之一。然而遗憾的是此类电池的电极接触特性的研究还很少，因此，本文针对此开展了改善纳米线阵列太阳电池的电极接触特性的研究工作。

二 实验

硅纳米线阵列太阳电池的结构示意图如图1所示。试验采用了基于特殊扩散工艺在硅纳米线阵列的顶部形成了高掺杂区(图1a)。……