董龙 李涛

（北京空间机电研究所，北京 100076）

1 引言

在遥感相机成像时，目标景物的对比度差别很大，比如地面目标和云层的亮度差别甚至可以达到1000倍以上，这样由云层造成的弥散现象，通常会影响四周的景物，特别是垂直方向上的目标景物。为了消除这种弥散现象，通常采用抗弥散技术。

CCD抗弥散通常采用硬件方式，包括了电极型侧面抗弥散(Lateral Anti blooming Gate)、植入型侧面抗弥散(Lateral Anti blooming Implant)和垂直抗弥散(Vertical Anti blooming)。前两种侧面抗弥散是在像元侧面制作电荷倾泻沟道，这样通常会降低像元的填充率，从而减小像元感光面积；而垂直抗弥散由于工艺问题，器件抗高能粒子辐射能力有限，通常不应用到航天相机上。另外，以上三种方法在工艺制作上都需要增加3～4道工序，会进一步降低器件成品率，增加器件成本。

时序抗弥散(Clock Anti blooming，CAB)技术是在不改变CCD硬件结构的前提下，充分利用面阵CCD的结构特点，通过成像区的时序控制，来实现抗弥散功能。该技术成本低，可操作性强，特别是对于航天相机器件无法更换的特点，通过该方法，可以使无抗弥散功能的CCD器件增加抗弥散功能。

2 时序抗弥散技术原理

时序抗弥散技术是通过在曝光时间执行特殊的时序驱动来实现的，同时所要求的高电平偏置和低电平偏置，与通常的时序偏置也不相同。该技术利用了CCD工艺制作上的若干特点，包括CCD表面态俘获、n沟道CCD电荷存储特性、饱和弥散的两种方式和低电平翻转态特点。

在表面型CCD上，时序电极与Si材料之……