本刊记者 王 涵

“生活的支点在哪里？”这是当下许多年轻人困惑的问题，而胡志高立志把攀登科研高峰确定为生活的支点，多年过去了，他以自己的执着、坚守、努力与奋斗实践着自己对科学事业的坚持、对人生的崇高追求，并将继续锲而不舍地钻研、默默无闻地奉献，来完成他绚丽的人生答卷。

解读材料密码 抢占学科前沿

2004年3月，胡志高在中国科学院上海技术物理研究所获理学博士学位，师从褚君浩院士。博士毕业后，胡志高又远赴美国佐治亚州州立大学和德国海德堡大学从事博士后研究工作。

名师的指导、名校的恩泽使胡志高的学术水平日益精进，近年来最让胡志高引以为豪的科研项目，莫过于他对宽禁带铁电材料光电特性的深入研究。

随着微电子和光电子技术的不断飞速发展，以Si和GaAs为代表的半导体技术、工艺以及器件设计和制备日趋成熟。由于半导体芯片制造越来越趋于微型化以及随着光刻技术的进一步发展，深紫外光源将是制约这一关键技术的主要瓶颈之一。然而由于Si和GaAs材料的禁带宽度在近红外区，使得实现紫外发光和探测极为困难。当前研究最为热门的氮化物和氧化物半导体材料具有较宽的能量带隙，处于可见紫外区，使得它们在新一代微电子技术领域具有广泛的应用前景。然而，生长和制备基于它们的光电子器件的成熟技术仍然存在许多问题，还需要进一步更深入的研究。另一方面，电荷/自旋极化材料，诸如铁电、多铁以及磁性氧化物半导体材料属于新型光电子功能材料，它们的光学性质和电子结构同样也是材料学科的一个重要研究分支。……