刘 兵，彭超群，王日初，王小锋，李婷婷，王志勇

(中南大学 材料科学与工程学院，长沙 410083)

烧结助剂Y2O3和Pr6O11对Al2O3陶瓷相对密度和热导率的影响

刘 兵，彭超群，王日初，王小锋，李婷婷，王志勇

(中南大学 材料科学与工程学院，长沙 410083)

采用高分子网络法制备混合纳米粉体，研究稀土氧化物Y2O3和Pr6O11加入量对Al2O3陶瓷相对密度和热导率的影响。采用阿基米德方法测定样品的体积密度，利用激光脉冲法测量试样的热扩散率并计算得出热导率。结果表明：两种添加剂都可以降低Al2O3陶瓷的烧结温度，提高Al2O3陶瓷的热导率，其中Y2O3的促进作用较强；当保温时间相同、烧结温度为1 500～1 650 ℃时，Al2O3陶瓷的相对密度和热导率都随烧结温度的升高而增大；当烧结温度相同、保温时间为30～120 min时，Al2O3陶瓷的相对密度和热导率也随保温时间的延长而增大。

Al2O3陶瓷；Y2O3；Pr6O11；烧结温度；保温时间；相对密度；热导率

现代电子信息技术飞速发展，电子产品向小型化、便携化、多功能化方向发展。电子封装正在与电子设计和电子制造一起，共同推动信息化社会的发展[1]。电子封装基片材料的种类很多，包括陶瓷、环氧玻璃、金刚石、金属及金属基复合材料等[2]。其中，Al2O3陶瓷基片价格低廉，强度、硬度、化学稳定性和耐热冲击性能高，绝缘性和与金属附着性良好，是目前电子行业中综合性能较好、应用最成熟的陶瓷材料，占陶瓷基片总量的90%。

Al2O3陶瓷烧结主要通过扩散完成致密化，Al2O3晶格能较大，离子键较强，烧结激活能大，结构比较稳定，质点扩散系数低(Al3+在1 700 ℃时扩散系数仅为10−11cm−2/s)，因此，烧结温度较高[3]。……