范剑

（浙江台州学院 机械工程学院，台州 310018）

引 言

E2PROM是具有电可擦除特性的存储器。其优点是无需外加电源即可永久保存数据。基于这种优良特性，该器件广泛应用于对数据存储安全性及可靠性要求较高的应用场合。而且，越来越多的微控制器（MCU）生产厂家陆续推出了集成独立E2PROM数据存储器的产品，使其在结构、性能和功能等方面都有明显的提高。但是，E2PROM的缺点是数据的写入次数有限（指某一位由1写为0的次数），当前的工艺技术已经能做到不低于100万次。这虽然能够满足多数用户的要求，但对于E2PROM内的数据在系统运行过程中有频繁擦写的要求而言，当存放这些数据的片内存储单元擦写次数达到上限时，这个存储单元就不能再使用了，从而需要另辟蹊径，尽量提高E2PROM的写入寿命。姜金、李波等人利用空闲E2PROM空间，提出了一种存储失效检测和更新存储空间的动态E2PROM数据存储策略［1］；李维平、张涛等人提出了在E2PROM空间做N次遍历存储的方法［2］。本文首先综合上述两种方案的优点，针对不同更新频率的变量，进一步提出分区域遍历轮循的数据动态存储策略，能有效延长E2PROM的写入寿命。本文最后针对设计一种增量型计数器，提出了另一种“写零计数”的E2PROM数据遍历轮循存储策略。

1 E2PROM分区域遍历轮循的数据存储策略分析

一般情况下，系统的设计者会把数据存储方式设定为静态，即为固定的地址存储指定的变量值。但是，考虑到单片机内部的E2PROM空间相对于有待保存的数据量来说是有很大富余的［1］，从而可以用软件的方法，最大程度地利用E2PROM存储空间资源，以整体存储空间的使用寿命来扩展某局部、若干的存储器单元的使用寿命。……