高 洁 龙 飞池上森 吴 一 邹正光

(桂林理工大学,有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室，材料科学与工程学院，桂林 541004)

溶剂热法合成In2S3/CuSe核壳结构粉体

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(桂林理工大学,有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室，材料科学与工程学院，桂林 541004)

本文以氯化铜、氯化铟、硫脲、亚硒酸以及硒粉为原料，乙二醇及乙二胺为溶剂，采用常压溶剂热法制备了硫化铟为核硒化铜为壳(In2S3/CuSe)的核壳结构复合粉体。主要探讨了反应温度、不同反应原料以及不同表面活性剂对产物物相以及形貌的影响。通过采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对产物的物相、形貌以及组成进行了表征。实验结果表明：常压溶剂热条件下可以制备得In2S3/CuSe复合粉体，其最佳反应工艺参数是：于160℃下合成In2S3粉体为核，于100℃下合成包裹在In2S3表面的CuSe粉体从而获得In2S3/CuSe核壳结构复合粉。在该工艺参数下合成产物的形貌主要由圆球状颗粒组成，粉体的粒径分布在1～2 μm。此外，本文也通过添加不同种类表面活性剂对产物的形貌进行了控制。

溶剂热法；In2S3/CuSe；核壳粉体；表面活性剂

CuIn(S/Se)2直接带隙半导体材料作为薄膜太阳能电池的吸收层[1]，吸引了众多专家和科技人员的广泛关注[2]。CuIn(S/Se)2简称CI(G)S薄膜太阳电池，该电池由于成本低、性能稳定[3,4]、抗辐射能力强[5]、转化效率高[6]等优点而被光伏界所重视，CI(G)S也即成为最有前途的第三代太阳电池材料[7]。目前，制备CI(G)S薄膜的方法有很多，主要包括有：真空蒸镀[8]、磁控溅射-硒化[9]、电沉积[10]、化学气相沉积[11,12]、涂覆工艺[13]等。……