张铁民，宁亚媛，缪国庆，符运良，傅 军

（1.海南师范大学 物理与电子工程学院，海南 海口 571158；2.吉林女子学校，吉林 吉林 132108；3.中国科学院 发光学及应用国家重点实验室，吉林 长春 130033）

制备大面积组分均匀的In P/In0.81G a0.19A s/In P器件结构材料

张铁民1，宁亚媛2，缪国庆3，符运良1，傅 军1

（1.海南师范大学 物理与电子工程学院，海南 海口 571158；2.吉林女子学校，吉林 吉林 132108；3.中国科学院 发光学及应用国家重点实验室，吉林 长春 130033）

采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术制备大面积组分均匀的高晶格失配InP/In0.81Ga0.19As/InP器件结构材料.器件结构为：在直径为2英寸的S掺杂的InP衬底上采用两步生长法生长厚度为2.8 μm的In0.81Ga0.19As层，作为红外探测器的吸收层，然后再生长厚度为0.8 μm的InP覆盖层.分析器件结构材料的缓冲层的作用，研究所制备的大面积材料组分均匀性问题.为制作红外探测器器件，以及研究红外探测器器件性能，做好基础工作.

铟镓砷；金属有机化学气相沉积；红外探测器

InGaAs材料及用该材料制作的光电探测器的优点有[1]：1）InGaAs材料系列可使用的生长技术多样化，且较先进，是一种比HgCdTe更容易生长的合金材料；2）具有高的灵敏度和探测率（D*）.InGaAs红外探测器可取消探测器对致冷器的要求，减少了探测器的设计、制作尺寸和制作成本，提高探测器质量，增加了可靠性[2].InGaAs红外探测器由于材料稳定性好，均匀性容易控制，材料制备技术较成熟，而且有高光吸收系数、高迁移率、低热产生速率，可望在室温工作等特点已引起人们广泛注意.近年来，对光……