■ 本刊记者 刘星

日前，在PCIM亚洲2012电力电子世博展上，三菱电机集中展示了最新开发的散热性能好、可靠性强的大电流功率MPD系列IGBT模块，以及高性能、超可靠、低损耗的J系列EV-IPM和EV T-PM汽车用功率半导体模块。

在功率半导体最新的技术发展方面，三菱电机的IGBT芯片技术一直在进步。第三代的IGBT是平板型的构造，第四代是一个勾槽型的构造，第五代成为CSTBT，第六代是超薄化。目前，三菱电机正在开发的第七代IGBT，试图把CSTBT的构造进一步优化，微细化和超薄化，改善关断损耗对饱和压降的折中比例，提高功率半导体的性能。

在封装技术方面，三菱电机对小容量消费类DIPIPM产品采用了压注膜的封装办法。在中容量工业产品、混合动力和电动汽车的New-MPD产品中，采用了盒式封装。在大容量，特别是用在高铁上的产品中，采用了碳化硅铝的芯片，然后用盒式封装完成。从性能系数（FOM）来看，第六代已比第一代提高了16倍。如果第七代IGBT和碳化硅功率器件通过减少无效区间、超微细化等工序，可提高26倍。

三菱电机今后开发的技术方向，就是朝新绑定技术、高性能和高功率密度化方向发展。对于高耐压的产品来说，将进一步提升高功率密度化、高功率循环和温度循环、提高产品的寿命和绝缘的电压，同时降低热抵抗。

三菱电机的董事技术总监Gourab Majumdar博士指出：“三菱电机的功率半导体产品早已稳站全世界第一，因此，下一个目标是成为绝对第一，即要拉开与第二位的距离。到2015年时，全球销售收入达到1900亿日元的目标。……