林晓杰，王维升，刘汝刚

(1.中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳110032;2.沈阳硅基科技有限公司，沈阳110169)

1 引言

晶体管问世以来走过的60年历程中，其体积不断缩小，技术创新和市场诉求相互促进。随着大规模集成电路的发展，集成度不断提高，线宽不断减小，对硅片的质量要求也越来越高，特别是对硅抛光片的表面质量要求越来越严。这主要是因为抛光片表面的颗粒和金属杂质沾污会严重影响器件的质量和成品率，对于线宽为0.35μm的64兆DRAM器件，影响电路的临界颗粒尺寸为0.06μm，抛光片的表面金属杂质沾污应全部小于5×1016at/cm2，抛光片表面大于0.2μm的颗粒数应小于20个/片［1-4］。在目前的集成电路生产中，有50%以上的材料由于硅抛光片表面沾污问题而被损失掉。

因此，在硅晶体管和集成电路生产中，几乎每道工序都面临着硅片清洗的问题，硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响。处理不当可能使全部硅片报废，做不出晶体管来，或者制造出来的器件性能低劣，稳定性和可靠性很差。因此弄清楚硅片清洗的方法不管是对于从事硅片加工的人，还是对于从事半导体器件生产的人来说都有重要的意义。

由于硅片清洗是半导体器件制造中最重要的步骤，而且其效率直接影响到器件的成品率和性能，所以行业内对清洗工艺的研究一直在不断地进行［5-8］。现在人们已研制出了很多种可用于硅片清洗的工艺方法和技术，常见的有:湿法化学清洗、超声清洗法……