郭慧尔， 葛 焱， 王春来， 李琳珑， 于永强

（合肥工业大学 电子科学与应用物理学院，安徽 合肥 230009）

基于可控Cd掺杂In2O3纳米线的电学特性研究

郭慧尔， 葛 焱， 王春来， 李琳珑， 于永强

（合肥工业大学 电子科学与应用物理学院，安徽 合肥 230009）

文章利用化学气相沉积法合成了不同摩尔比的Cd掺杂的In2O3纳米线，制备了基于单根In2O3纳米线的底栅场效应晶体管，并研究了其电输运特性。结果表明，相对未掺杂的In2O3纳米线，In2O3∶Cd纳米线的电导率有1～2个数量级变化，载流子迁移率高达58.1cm2／（V·s），载流子浓度高达3.7×1018cm－3。可控Cd掺杂In2O3纳米线将在纳米光电子器件方面有着广泛的应用前景。

In2O3纳米线；化学气相沉积；Cd掺杂；场效应晶体管

In2O3是一种透明氧化物半导体，禁带宽度为3.4～3.75eV，由于其具有较高的催化活性、较好的电学及光学特性［1－3］，而被广泛应用于光电池、传感元件及透明电极材料等领域［4］。近年来，有关实现全透明发光器件的制备已成为研究的热点，特别是在全透明的电极接触、全透明驱动等方面的研究愈来愈热，其中在柔性衬底上，利用ZnO或In2O3纳米线为导电沟道制备的全透明二极管被证明有杰出的驱动性能［5－6］。

当前In2O3纳米线的研究主要集中在其多形貌的纳米线生长［7－8］或者气敏特性［9］的研究等方面，而利用In2O3纳米线作为导电沟道制备不同种类的纳米器件的探索及研究不多。实现纳米器件的应用往往需要有效地控制纳米材料的掺杂，但当前有关In2O3纳米线的可控掺杂及其在相关器件的应用研究报道并不多。……