武红磊，郑瑞生，闫 征，李萌萌，郑 伟

深圳大学光电工程学院，光电子器件与系统教育部重点实验室，广东省光电子器件与系统重点实验室，深圳518060

氮化铝 (AlN)晶体作为新型半导体材料，具有直接带隙宽度宽，热导率和击穿场强高，热和化学稳定性好等优良特性，是制作短波长紫外发光器件、紫外探测器和高温大功率微波电子器件的理想材料，具有广阔的应用前景与经济效益［1］，因此，受到研究者的广泛关注.由于氮化铝的熔点和分解蒸气压极高，无法采用常规的液相结晶法生长，因此，升华法 (或物理气相传输法)已成为制备氮化铝晶体最常用的方法［2-4］，其原理是氮化铝物料在高温区分解升华，在低温区再结晶形成晶体.

氮化铝晶体的生长一般沿c轴方向，显露面为c面［4-6］，因此，关于氮化铝晶体和器件的制备研究，基本都是在c面极性氮化铝上开展的.由于氮化铝晶体是稳定的六方纤锌矿结构，且铝原子与氮原子的电负性相差很大，在c轴方向具有很强的自发和压电极化效应，导致氮化铝器件的发光波长红移，并降低发光效率.消除这些不良影响最有效的方法就是制备非极性面氮化铝晶体材料.升华法制备氮化铝晶体时，物料与衬底之间的温度差是晶体生长的根本驱动力.升华区与结晶区的温度场分布，不仅影响氮化铝晶体的生长速率，而且决定晶体的生长形态.

本研究以氮化铝粉体为原料，采用升华法制备氮化铝晶体.对比不……