祁洪飞， 刘大博

（北京航空材料研究院，北京 100095）

紫外探测器作为紫外告警、紫外军事通讯、紫外侦察以及紫外制导等系统的核心器件，有着极高的军事价值［1，2］。特别是近年来，基于导弹紫外辐射探测的紫外告警和跟踪技术发展迅猛，紫外探测器已成为光电对抗领域的一个重要研究课题。例如，相对于其他告警方式，紫外告警具有虚警率低、不需低温冷却、无需扫描、体积小、质量轻等独特优势［3］，成为了装备量最大的导弹逼近告警系统之一。

目前，应用于军事领域的紫外探测器主要是紫外真空二极管，紫外光电倍增管等真空型器件。虽然其具有很高的内增益，灵敏度高，但体积和重量庞大、功耗高、易损坏（玻壳封装）、需在高压低温下工作是其自身无法避免的缺点。因此，随着光电对抗技术和无人机的发展，研制体积小、质量轻、功耗低的半导体探测器已成为紫外探测器的发展趋势和重要方向。近年来，国内外研究人员相继研究了多种半导体材料，制备了GaN基、金刚石基、SiC基、ZnO基等多种半导体型紫外探测器，但均存在一定的局限性而尚未达到应用的程度［4～7］。而且，半导体材料不同，紫外光电特性差异很大，即使同一种材料，由于制备工艺不同，获得的紫外光电特性也是千差万别。因此，探索理想的半导体材料及其制备工艺对于半导体型紫外探测器军事应用的实现具有重要的意义。

TiO2作为一种宽禁带半导体材料，具有优良的化学稳定性和耐候性，在气敏器件、光催化以及太阳能电池等光电领域的应用研究十分活跃［8］。……