APP下载

一种改进太阳能计算器芯片二极管稳压电路设计

2012-05-31张立荣

电子与封装 2012年10期
关键词:肖特基稳压计算器

张立荣

(深圳方正微电子有限公司,广东 深圳 518116)

1 引言

目前,市面上的民用计算器以电源类型分为两种,一种是只用电池,一种是电池和太阳能双用。后面这种即使不安装电池,在普通的室内照明之下使用,也可由内置太阳能电池板供电。

对于电池和太阳能双用的计算器,其核心芯片的稳压电路设计是至关重要的。市面上大部分此类产品的稳压电路的设计是串联三个PN结二极管以达到稳压目的。这种设计会出现以下问题:当外部光线太强时,由于太阳能电池板的供电电压较高,而稳压电路由于正向饱和压降过高,不能及时将高电压释放掉,所以液晶屏会出现“鬼影”现象。本研究的目的在于改进二极管稳压电路的设计,将其中一个PN结二极管改为肖特基二极管,使其正向饱和压降处于一个合理的区间,避免上述的“鬼影”现象,从而达到改善太阳能应用的目的。

2 肖特基二极管的特性

肖特基二极管也称肖特基势垒二极管,肖特基二极管是以金属(金、银、铝、铂等)为正极,以N型半导体为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。肖特基二极管具有以下特性:

(1)正向压降小,约0.35V左右,比PN结二极管0.7V的压降小很多;

(3)更稳定的温度特性;

(4)有较高的工作频率和开关速度。

图1 肖特基二极管和PN结二极管曲线特性对比

从图1可以看到,肖特基二极管的正向饱和压降比PN结二极管小很多。

3 优化二极管稳压电路设计的方法

应用于太阳能的计算器芯片中的二极管稳压设计电路如图2所示。

Vo是接计算器内部电路的,它的电压必须控制在1.6V~1.9V左右。当Vo大于1.9V时,3个二极管必须开启,释放多余电流,以保护Vo处的内部电路。所以3个二极管串联的正向饱和压降必须处于1.6V~1.9V之间。

(1)如果3个二极管的正向饱和压降大于1.9V,当使用环境的光线太强时,Vo会比正常时偏高,而此时二极管又不能释放电流,这样就会出现显示屏“鬼影”的现象,影响正常使用;

(2)如果3个二极管的正向饱和压降小于1.6V,那么当计算器使用在电池状态下时,电池就会漏电,影响电池使用寿命。

用以制造计算器芯片的0.8μm互补金属氧化物半导体工艺简易流程如图3所示。 N阱注入和P+ 注入是形成PN结二极管的两个重要工艺步骤。如果跳过P+注入,那么就会形成肖特基二极管。

图2 稳压电路的结构

图3 0.8μm CMOS制造工艺流程

该设计电路版图如图4所示。其中第一个二极管,因为无P+注入,所以由原来的PN结二极管变成肖特基二极管。在修改设计前,必须用足够的试验数据证明:两个串联的PN结二极管再串联一个肖特基二极管,其整体的正向饱和压降在1.6V~1.9V。为此,我们在做工艺试验时,只需要跳过P+注入,就可以将电路中的三个二极管全部制作为肖特基二极管,测试这三个肖特基二极管的正向饱和压降,如果值在1.05V左右,即单个肖特基二极管是0.35V,便可证明此方案可行。同时,我们还需要做一些可靠性验证,如温度对正向饱和压降的影响。

在企业的内部审计实践中,规范的审计流程应分为事前准备、事中实施、事后反馈3个完整的阶段,后续审计在整个审计过程中起着至关重要的作用,它能够对企业是否已经将审计建议进行落实和纠正进行如实反馈,对审计工作起到监督落实的作用。JY酒店的审计流程如图1—1所示,在此流程中,其开展的审计工作只包含内审的前两个阶段,忽略了后续审计,JY酒店的内部审计部门对审计事项进行前期准备并现场审计之后,提出了相应的审计意见以及整改事项,但没有对财务部门的审计整改实施情况进行回访与追踪,后续审计不力,审计整改事项的落实更多依靠的是财务部门的主观能动性。这样的实践降低了整个内审工作的效率和效果,不利于审计质量的提升。

图4 稳压电路的版图

4 实验结果讨论

4.1 实验过程

为了方便实验,在工艺流片时,对于原先的3个普通二极管的mask设计,跳过P+注入,就可以将原来的3个普通二极管设计变成3个肖特基二极管。这样就能够验证3个肖特基二极管的参数性能。

如果参数合格,那么就能说明,后续通过修改P+层次的mask设计,将原来的3个普通二极管设计改成2个普通二极管串联1个肖特基二极管的设计能够满足此产品对参数的要求。

4.2 实验结果

3个肖特基二极管的正向饱和压降为1.05V,即单个肖特基二极管的压降为0.35V,符合实验预期。

图5 肖特基二极管的正向饱和压降

(1)测试方法:扫电压,从0扫到2V,同时测试电流,当电流为150μA时的电压即为正向饱和压降。

(2)片内均匀性:一片晶圆测试20个点,上中左下右各5个点。数据显示,片内的均匀性比较好,都在1V~1.1V间波动,平均值1.02V,如图6。

图6 肖特基二极管正向饱和压降片内均匀性

(3)金属厚度(Ti)对正向压降的影响。将金属厚度0.03μm和 0.05μm的正向压降进行对比,数据显示,不同金属厚度的正向饱和压降差别很小,只有约0.005V,说明即使工艺(金属厚度)发生波动,对饱和压降的影响也很小,工艺上是完全可行的。

(4)温度对正向压降的影响。民用计算器的使用温度多在40℃以下。所以我们特别测试了室温(23℃)和40℃时正向饱和压降的变化。数据说明变化很小,只有约0.02V。

图7 金属厚度对肖特基正向饱和压降的影响

试验说明:(1)跳过P+注入后,正向饱和压降的重复性和均匀性比较好,波动较小;(2)不同的金属厚度(0.03μm和0.05μm)对正向饱和压降的影响很小;(3)室温下(23℃)测试和40℃下测试,正向饱和压降波动较小,与理论上的分析也是一致的。

5 结束语

只需改变P+ mask,将其中一个二极管的P+去掉,三个二极管的正向饱和压降可从2.1V降到1.75V左右,基本满足应用要求,可避免“鬼影”现象产生。

[1] 李强,王俊宇. 标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现[J]. 半导体学报,2005,2.

[2] 章从福. 整合肖特基二极管的单片MOSFET [J]. 半导体信息,2008,2.

猜你喜欢

肖特基稳压计算器
[计算器不是万能的]
场发射ZrO/W肖特基式场发射阴极研究进展
平面低压降肖特基二极管外延氧化工艺
沟道MOS 势垒肖特基(TMBS)和超级势垒整流器
基于T型连接变压器的异步发电机稳压稳频控制
基于迟滞比较器的双阈值稳压供电控制电路
一个损坏的计算器
计算器游戏
计算器
基于神经网络控制稳压系统在ICPT中的应用