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佩尔捷效应的演示

2012-01-26张立凯姜永恒何春凤

物理实验 2012年2期
关键词:单片机

张立凯,姜永恒,何春凤,冯 毅

(吉林大学 物理学院,吉林 长春130021)

1 引 言

1834年法国科学家佩尔捷发现了热电致冷、致热的现象.由N型及P型半导体材料组成的热电元件,当通过直流电流时,因其电流的方向不同,将在热电元件N型及P型半导体材料的结点处产生吸热或放热现象,该现象就称为佩尔捷效应.对佩尔捷效应的物理解释是:电荷载体在导体中运动形成电流.由于电荷载体在不同的材料中处于不同的能级,当它从高能级向低能级跃迁时释放出多余的能量;相反从低能级向高能级跃迁时将会从外界吸收能量.能量在热电元件交界面处以热的形式吸收或放出.

本文设计了基于单片机的佩尔捷效应演示仪器,该仪器带有LED数码管显示和温度传感器,使学生能直观地看到佩尔捷元件两表面温度的变化过程,而且通过手动改变电流的方向,可以实现温度变化的转换.通过演示可以让学生更好地了解佩尔捷效应.

2 佩尔捷效应演示仪器的设计思想

佩尔捷效应演示仪器是以单片机为核心的智能化的演示装置.仪器的电路框图如图1所示.

2.1 佩尔捷元件介绍

图1 仪器的电路结构框图

采用如图2所示的佩尔捷半导体元件,半导体通过金属导流片连接构成回路,对该元件加以直流电压,当电流由N型半导体到P型半导体时,电场使N中的电子和P中的空穴反向流动,它们产生的能量来自晶格的热能,于是在导流片的上端面吸热,而其下端面……

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