陈智维，姚升宇， 张铁宁，胡喆恺， 朱振华

上海交通大学附属第一人民医院 肿瘤科， 上海 200080

MOSFET用作临床X射线剂量测量的研究

陈智维，姚升宇， 张铁宁，胡喆恺， 朱振华

上海交通大学附属第一人民医院 肿瘤科， 上海 200080

目的 利用场效应晶体管对X射线的敏感性，探讨制作出符合临床需要、实用的X射线计量探测器的可行性。方法 ① 确定合适的场效应晶体管工作参数，即确定工作电压VDS以及漏极电阻DR，并测量在X射线照射场效应晶体管时，漏极电阻DR上的电压降VDR，以确定场效应晶体管对X射线照射是否敏感。② 任选市售不同型号的场效应晶体管若干，并在临床的标准条件下对这些场效应晶体管作X射线照射，通过测定VDR值，以确定场效应管对X射线照射反应的普遍性。③ 使用电离室（临床标准配置）对X射线的剂量作标定，并对处于相同X射线照射下场效应晶体管的VDR值作比对测量，以确定VDR值与X射线剂量之间的函数关系。④ 大剂量X射线照射试验用场效应晶体管，通过观察其对大剂量射线轰击的耐受性，以确定其作为传感器应当具有的可靠性。结果 市售场效应晶体管对X射线照射的反应具有普遍性；其输出信号与X射线剂量之间具有很好的线性关系；试验用场效应管能够经受大剂量1000cGy的15MV高能X射线轰击。结论 经过挑选的市售场效应晶体管完全能适用作临床上检测X射线的相对剂量。

场效应晶体管；X射线；电离室；剂量监测；探测器

0 前言

通常把能使物理量或化学量转变为电量（或电磁量）的器件或元件叫做传感器或探测器。……