吴 蓉 冯红艳 朱顺官 张 琳 王新

（1巢湖学院化学与材料科学系，安徽 巢湖 238000）（2南京理工大学化工学院，江苏 南京 210094）

低输入能条件下半导体桥等离子体放电特性研究

吴 蓉1冯红艳2朱顺官2张 琳2王新1

（1巢湖学院化学与材料科学系，安徽 巢湖 238000）（2南京理工大学化工学院，江苏 南京 210094）

采用脉冲放电的方式，获得低输入能条件下半导体桥等离子体的光电信号，实验研究了放电电压为18V、充电电容为47μF和放电电压为57V、充电电容为4.7μF的两种输入能相同的发火条件下半导体桥等离子体放电特性。结果表明，低输入能量条件下，小电容大电压容易完成桥膜物理形态的转变，等离子体后期放电开始的时间早，且持续时间长，但是由于消耗在桥上的能量比较多，得到的等离子体温度并不高。

半导体桥；等离子体；放电脉冲

半导体桥（SCB）是指利用微电子技术制造、用半导体膜（或金属-半导体复合膜）做点火元件的火工品[1]，在电容放电脉冲激发下形成的等离子体应用于含能材料点火技术中，是目前活跃的研究领域[2]。SCB等离子体点火技术以等离子体为激发能量，具有高安全性能、作用迅速、发火能量低等特点。近年来国内外该技术研究涉及到SCB的电热性质研究、点火器的设计、SCB等离子体参数测量[3～7]等方面。SCB等离子体的放电温度，火花持续时间，以及等离子体加热阶段形成时间等多种放电特性的研究对于分析等离子体与药剂作用的机理是非常重要的。本实验在两种输入能相同的放电脉冲条件下对产生的SCB等离子体放电特性进行研究，为进一步研究SCB点火和起爆的机理提供实验依据。……