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多电平高压变频器的拓扑结构分析与研究

2011-10-09高玥

电气开关 2011年2期
关键词:变频器

高玥

(沈阳市装备制造工程学校,辽宁 沈阳 110024)

1 前言

现代电力电子技术的发展方向,是从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学,向以高频技术处理问题为主的现代电力电子学方向转变。19世纪末20世纪初,随着汞蒸汽、汞弧和真空电子管的发明,电力电子技术得以发展起来。50年代末60年代初随着硅整流器件的出现,电力电子技术的发展进入了一个崭新的时代,其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代,并促进了电力电子技术在许多新领域的应用。80年代末期和90年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件,表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。

上个世纪中,电力电子技术随着功率开关器件与变流器拓扑的发展而发展。电力电子器件的发展经历了不控和半控器件、电流全控器件、电压全控器件和功率集成电路等若干阶段。在60年代和70年代大功率硅整流器能够高效率地把工频交流电转变为直流电,主要应用于电解(有色金属和化工原料需要直流电解)、牵引(电气机车、电传动的内燃机车、地铁机车、城市无轨电车等)和直流传动(轧钢、造纸等)三大域领域。电力电子与电力传动技术的每一个改进和创新都能马上在实际工业和民用方面得到应用,在改造传统产业、发展高新技术和高效利用能源中有着极其重要的作用。

2 多电平高压变频器的拓扑结构

2.1 普通双电平逆变器

如图1所示,普通双电平逆变器拓扑结构比较简单。……

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