本刊记者 | 王涛

“TD手机的成本要想接近2G，65纳米芯片根本做不到，只能再往小做。”

从150纳米到40纳米的距离有多远？展讯的答案是“14个月”。

2011年1月19日，展讯正式发布全球首款40纳米TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片SC8800G，并现场展示了多款基于该芯片的商用手机产品。

需要再次强调的是，这个历时14个月推出的“40纳米”已是商用品。与此形成强烈反差的是展讯“甚至去年量产的产品都是180或者150纳米技术的东西”。

在美国硅谷屡屡上演的创新公司“以小博大”的故事，被原汁原味地移植在了这个中国色彩浓厚的芯片公司上面，样本意义不言而喻。

近乎“疯狂”

按照芯片设计的正常逻辑，工艺升级遵循的节点一般是180纳米（这也是展讯芯片工艺的起点）、150纳米、90纳米、65纳米、55纳米、45纳米……而每个节点按照正常的开发、量产、成熟时间，大致需要2-3年。

回想这场芯片工艺“大跃进”，始作俑者展讯董事长兼首席执行官李力游似乎也有些“不寒而栗”，在通信半导体行业做了20多年，他深知此间凶险，“在工业界，这种跳跃是不合理的，是非常不理智的，甚至是错误的”，“很容易失败，实际上跟自杀差不太多”。

在合作者那里，对李力游的质疑差点演化成一场信任危机。其原因在于，展讯的40纳米研发计划依托于两个项目：2008年的科技部国家支撑项目——TD-HSUPA的开发和2009年中国移动与芯片、终端厂家联合申报的3G手机联合开发项目。而这两个项目当时规定的半导体支撑技术就是65纳米。

因此，在合作伙伴们看来，展讯此举自然是疑点重重。