小泽隆二，田亚葵

(北京天洋浦泰投资咨询有限公司，北京100089)

0 引言

电子源是运行FL管的先决条件，以下是真空装置中成熟电子源的简介:1884年，T.A.爱迪生在被加热到3 000℃以上的金属丝中发现了热电子发射，热电子是真空中的第一代(1G)电子源。通过在加热钨丝上覆盖超级氧化物(Mg，Ca，Sr，和/或 Ba)的微小颗粒，特别是BaO，钨丝的加热温度从3 000℃令人注目地下降到800℃，超级氧化物，它通过在低于10-5托压强的高真空中碳酸盐的分解产生，向真空中发射热电子。来自受热BaO颗粒的热电子发射属于1G电子源。来自受热BaO热电子的应用导致了真空电子管、CRT和其他真空器件的开发，他们采用低于10-5托的真空压强。1928年，R.H.Flower和 L.Nordheim报告了冷金属针尖(小于0.1 μm)在强电场(107V cm-1)下向真空发射电子。来自尖端的电子是真空中的第二代(2G)电子源。在气体发光和低压气体空间中电子流的早期研究中，采用来自针尖的2G电子源。最近，报道了两种完全不同的电子线路，(a)外ac驱动电路和(b)内dc电路，通过来自金属电极电场的帮助，在点亮FL管的运行中作为一个整体共存。在两种电路之间没有电子流动，点亮FL管内电路的电子源和电子收集源，在金属电极上的极化绝缘颗粒前面形成。极化绝缘颗粒上的电子源是点亮FL管内的第三代(3G)电子源。

市场上绝大多数荧光灯(FL)管采用带有BaO颗粒的钨丝线圈，而不是钨丝。自从1927年发明FL管以来，人们假设受热BaO颗粒向氩气体空间发射热电子已经超过90年。因此，采用带有BaO颗粒钨丝线圈的FL管被称为热阴极FL(HCFL)管。……