晶体半波电压测量方法
2011-07-23朱文营王辉林
山东理工大学学报(自然科学版) 2011年6期
关键词:效应
朱文营,王辉林
(山东理工大学机械工程学院,山东淄博255091)
当给晶体加上电场后,该晶体的折射率会发生改变,这种现象称为电光效应[1].电光效应可分为两种类型:线性电光效应和二级电光效应.大多数的晶体二级电光效应与线性电光效应相比不是很明显,所以本文主要研究LN晶体的线性电光效应.线性电光效应的测量方法很多,包括极值法、模拟通信法、倍频法等.在倍频法的测量中,由于调制信号幅度的大小影响测量的精度,所以确定调制幅度的大小是其中一个重要的环节.本文利用仿真实验确定调制幅度的大小,进而利用锁相环确定频率的准确值,以期提高测量精度.
1 电光效应的基本原理
1.1 晶体的折射率椭球
在各向异性介质中,光波中的电场强度矢量E与电位移矢量D的方向是不同的.在任意的空间直角坐标系中,E和D之间的关系可以写成

光波在晶体中的传播性质可以用一个折射率椭球来描述,在晶体的主轴坐标系中,折射率椭球的表达式为

其中,ni==x,y,z)是晶体的主折射率.
对于单轴晶体(如本实验所用的LN晶体)有:nx=ny=n0,nz=ne,于是单轴晶体折射率椭球方程为

由此看出,单轴晶体的折射率椭球是一个旋转对称的椭球.
1.2 LN晶体的线性电光效应
以上讨论的是没有外界影响时的折射率椭球,也就是晶体的自然双折射.当晶体处在一个外加电场中时,晶体的折射率会发生变化,改变量的表达式为

式中:n是受外场作用时晶体的折射率;n0是自然状态下晶体的折射率;……
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