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基于巨磁电阻的转向传感器的研究

2011-04-13李寅

科技传播 2011年7期
关键词:测量

李 寅

重庆交通大学机电与汽车工程学院,重庆 400074

0 引言

自从1988年法国的费尔发现巨磁电阻效应(简称GMR)以来,该项技术迅速的发展,仅用了6年的时间就走出了实验室。1994年,IBM公司成功的将它应用在了高速度的读写磁头上,把记录密度提高了十几倍。而后几年,巨磁电阻在磁场、转速、转角等方面的应用也得到了飞速的发展。

目前,在EPS电子控制技术当中,转矩、转角传感器是保证系统稳定、良好工作的重要部件。本文从传感器的基本原理、机械结构的理论计算和电路硬件几个方面,探讨了基于巨磁电阻在转矩、转角传感器中的应用。

大体上,可以将EPS上的传感器分为:接触式和非接触式两大类。接触式传感器工作原理简单,成本低,但由于触点易损耗,测量精度差,将逐步被非接触式传感器所淘汰。随磁场变化电阻值而变化的巨磁电阻,可以实现非接触工作,有较好的应用前景。

1 基本测量原理

如图1所示,转向轴分为上下两端,通过一根弹性扭杆相连。方向盘与转向轴上端刚性连接,转向盘转过的角度即是转向轴上端的角度,而转向轴下端与转向器相连,即输出轴。齿轮1通过主动齿轮与上端相连,齿轮2与下端的输出轴相连。

由材料力学可以知道

式中,ϕ为扭杆扭角; T为扭杆扭矩;Ip为扭杆截面极惯性矩;G为扭杆材料剪切模量。

通过齿轮传动,扭矩的测量转化为齿轮1、齿轮2转角差的测量,方向盘转角测量通过齿轮1 与齿轮3的转角差可以实现。

齿轮1、2、3上分别装有磁铁,通过齿轮的旋转来改变磁场;……

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