美国瓦里安半导体联合公司 （Varian Semiconductor Equipment Associates）获得美国能源部Sunshot计划的480万美元资助，将用于交叉背接触式（interdigitated back contact,IBC）太阳能电池技术研发。该电池是目前市场上效率最高的硅太阳能电池，该项目旨在降低电池制造成本。

传统太阳能电池正面安装的金属集热器会遮挡一部分阳光。而IBC电池正面吸收日光后产生的电能可通过背面金属导体进行收集。电池效率非常高，与传统电池相比不仅可提高单位面积发电量，还能降低模块成本及光伏发电系统平衡（balance of system,BOS）成本。

IBC电池如果采用传统工艺制造，与正面接触式光伏电池相比成本较高，限制了该类电池的推广应用。而公司提出离子注入技术使制造工序减少30%～40%，有利于IBC电池制造商大幅度削减生产成本。该技术的应用在提高电池发电量的同时可降低电池制造偏差率、电池破损率并缩短生产周期。