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电刺激小脑顶核对缺氧缺血新生大鼠学习记忆能力的影响

2011-02-09陶德双张丽华谭丽萍杨本利李晓红王立苹孙颖

中国中西医结合儿科学 2011年2期
关键词:记忆手术模型

陶德双, 张丽华, 谭丽萍, 杨本利, 李晓红, 王立苹, 孙颖

缺氧缺血性脑病(hypoxic ischemic encephalopathy,H IE)患儿大约有15%~25%死亡,幸存儿中因智力障碍、脑性瘫痪或癫痫而存留永久性神经心理障碍的比例高达25%[1]。其中学习记忆障碍严重影响患儿的生活质量。脑缺血是导致认知障碍的重要原因,缺血性脑损伤诱导基因表达,其中多种基因编码的蛋白质产物直接或间接参与了学习记忆过程的调控,信号转导与转录激活子3(signal transducer and activator of transerip tion l,STAT3)是近年来新发现的一条细胞因子信号转导途径[2]。该途径广泛参与细胞的增殖、分化、凋亡、调节等过程。STA T3在急性脑缺血损伤中有间接的促凋亡作用。电刺激小脑顶核可通过神经源性保护作用而减轻脑损伤和促进脑功能恢复,作为外源性的干预因素促进内源性神经干细胞的活化和增殖,目前主要用于成人脑损伤的治疗而关于缺氧缺血性脑损伤(hypoxic-ischemic brain dam age,H IBD)方面报道较少。本研究拟通过动物实验探索电刺激小脑顶核对脑损伤鼠空间学习记忆功能恢复及对STAT3的影响,研究其可能的脑保护作用机制。

1 材料与方法

1.1 实验动物与分组 7日龄普通级W istar大鼠(动物合格证号:黑动字第99102001)36只,体质量12~17 g,雌雄不限,由佳木斯大学动物实验中心提供。按随机数字表法分为电刺激组、模型组、假手术组各12只。

1.2 试剂与设备 SP免疫组织化学试剂盒、STAT3单抗(北京博奥森生物工程有限公司);小脑顶核电刺激仪(北京仁和公司);Y-型电迷宫(张家港市生物医学仪器厂);自制常压缺氧箱30 cm×40 cm×50 cm,二端分别有直径约1 cm的进、出气口。……

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