周庆奎，刘玄博，李霖

(中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京 101601)

刻机总是不断的向着更高分辨率，更高的对准精度发展，从而减少单个电路器件的成本，提高生产效率。在掩模光刻机(Mask Aligner)的应用生产中，虽然其分辨率受到光刻胶、曝光量和曝光光源等各种工艺参数及工作环境的影响，但是掩模版平面与基片平面的平行是光刻机对准曝光的基础。随着掩模光刻机分辨率进入亚微米，为了保证基片上产品的合格率，光刻机的找平过程和结果就越发显得关键。

1 光刻机的找平结构

目前掩模光刻机中的找平(掩模版与基片楔形误差补偿)方法主要有两种，一种为掩模版(或找平版)和基片之间的一个相互适应找平，另一种为固定掩模版(或找平版)，通过找平机构将基片与掩模版平面找平。找平机构的形式有两种：一种采用空气气浮轴承找平，即空气轴承在找平的过程中通过高压气体将气浮球碗吹离球座，使球碗在一定范围内可以自由运动，在掩模版架的自身重力作用下实现基片找平，见图1；

图1 气浮轴承找平机构

另一种为三点找平机构，目前我们所研制的多种型号光刻机均采用三点找平机构。三点找平机构采用弹性体作为找平补偿，通过弹性体的变形量大小来补偿基片与掩模版之间的距离差，从而使基片和掩模版找平。目前设备上使用的弹性体为弹性气囊，其特点是可以通过气囊气压将三点的压力相互传递，使掩模版和基片找平时在平面间得到一个均匀的找平压力，见图2。……