陈晓南　杨培林　庞宣明　袁丛清

1实验

利用等离子体(IPC)可对硅进行快速的刻蚀，但是其工艺参数对刻蚀结果的影响很大．本文在国产ICP—2B型刻蚀机上以SF6作为刻蚀气体进行了单晶硅的刻蚀实验．刻蚀机的主要性能参数：极限真空度为6Pa，电极尺寸为∮50，刻蚀速率为0．1～1．0／lm／min，刻蚀均匀性为片内、片间均小于等于土5％．