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纳米二氧化硅掺杂聚偏氟乙烯高介电纳米纤维膜的制备

2021-05-27蔡曼曼

纺织报告 2021年3期
关键词:介电常数纺丝压电

蔡曼曼,徐 磊

(天津工业大学 纺织科学与工程学院,天津 300387)

聚偏氟乙烯(PVDF)作为一种化学性能稳定的压电聚合物,具有优异的铁电、压电和热电等性能,可广泛应用于电子材料[1],已在驻极体吸附过滤材料[2]、纳米发电机、电子皮肤、压力传感器和能量收集器等领域广泛应用。PVDF特殊的电学性质来源于其内部结晶结构,R.Gregorio Jr.提到,在PVDF的5种晶型中,β晶型是PVDF产生驻极性和压电性能的根源,已知提高β晶主要有拉伸、粒子掺杂和电极化等方法。

本研究以50 nm粒径SiO2纳米颗粒为掺杂剂,通过阳离子表面活性剂分散配制PVDF纺丝溶液。通过调节不同的掺杂量,以扫描电镜和X-射线衍射仪(XRD)对薄膜表面形貌和晶相结构进行分析,对极化处理后的纳米纤维膜采用阻抗谱分析仪和静电计,分析样品的介电性能和驻极效果,探讨此类产品在过滤除尘和压电材料上的应用。

1 实验部分

1.1 原料与设备

实验材料:聚偏二氟乙烯(PVDF)(分子质量600 ku,熔点175 ℃,美国苏威);N,N-二甲基甲酰胺(DMF)(分析纯,天津市光复科技发展有限公司);丙酮(试剂级,天津市福晨化学试剂厂);纳米SiO2(50 nm粒径,上海阿拉丁试剂)。

实验设备:自制的针头滚筒式静电纺丝小样机;85-2磁力搅拌器(江苏中大仪器厂);PS-40A超声波分散仪(深圳市深华泰公司)。

1.2 掺杂SiO2的PVDF制备

用电子天平称取一定量的SiO2,加入DMF/丙酮(体积比约为7∶3)的混合溶液中,并加入分散剂,超声波分散1 h,配成指定浓度的SiO2溶液。然后将1 g的PVDF加入SiO2溶液中,用磁力搅拌器搅拌12 h,最终得到质量分数为1%~5%的SiO2/PVDF的混合纺丝液。

采用前期优化工艺,在实验室温度为25 ℃、空气相对湿度为35%的条件下进行静电纺。静电纺纺丝电压为27 kV,纺丝速度为1 mL/h,纺丝距离为20 cm,纺丝时间为8 h,滚筒转速为60 r/min,针头动程为12 cm,得到的纳米纤维膜厚度为17.5 μm。

1.3 测试表征

采用日本Hitachi公司的TM3030、德国Bruker-D-8 X射线、Novo control concept 40中科仪器和自制的薄膜表面静电带电量测试仪,对样品进行测试。

2 结果与讨论

2.1 SiO2/PVDF纳米纤维膜表面形貌

图1为不同SiO2掺杂量下的PVDF纳米纤维膜表面形貌,可以看出,在2%掺杂质量分数下,纤维粗细均匀且团聚现象不明显,此时的纤维膜质轻、透气性良好,适合与柔性织物相结合。

图1 不同SiO2掺杂量下得到的PVDF纳米纤维膜的表面形貌

2.2 SiO2掺杂对PVDF纳米纤维介电特性的影响

图2 为掺入不同质量分数SiO2的PVDF纳米纤维膜的介电系数和介电损耗角与频率间的关系。从图2(a)中可以看出,掺杂SiO2会使纳米纤维膜的介电常数整体增加,在同一频率时,随着SiO2掺杂量的增加,介电系数呈现先显著增加后小幅回落的趋势。从图2(b)中发现,介电损耗角正切值也呈先减小后增大的趋势,同介电常数影响规律相似,证实在低电压交变电场下,介电常数对介电损耗的影响仅次于频率。

图2 不同SiO2掺杂量下纳米纤维膜的介电常数和损耗角正切

2.3 极化对PVDF纳米纤维膜的表面静电荷作用

图3 为在不同电场强度下极化不同时间后,纳米纤维膜表面带有稳定的静电荷。由于在测试过程中,静电荷是在试样内部自由产生的,积累静电荷的大小同薄膜材质、介电常数、极化程度有关。可以看出,极化电压越大,极化时间越长,试样表面带电量越大。

图3 20 mm×20 mm的PVDF纳米纤维膜表面静电特性

3 结语

通过掺杂纳米SiO2,以静电纺丝工艺制备PVDF纳米纤维膜,对试样表面形貌、晶相结构和介电驻极特性进行研究,得出如下结论。

(1)掺杂2%纳米SiO2时纺出的纤维粗细均匀,且不容易团聚,能够形成稳定的纺丝。

(2)纳米SiO2的加入降低了PVDF原有的β相,因此,对结构压电特性有消除作用。

(3)纳米SiO2的掺杂提高了PVDF的介电和驻极特性,纳米纤维膜的介电常数和损耗角正切可以达到5.4和0.6,表面静电荷量超过1.25 μC/cm2,在气体过滤除尘领域有望得到更好的应用。

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