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Silicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布其汽车级55 nm嵌入式闪存技术已获认证

2015-03-25

电子设计工程 2015年11期
关键词:投放市场低功耗领先

全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商--Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)通过其子公司Silicon Storage Technology(SST)与先进半导体制造技术的领先供应商GLOBALFOUNDRIES共同宣布,基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗强化型(LPx)/RF平台的SST 55 nm嵌入式SuperFlash非易失性存储器(NVM)产品已通过全面认证并开始投放市场。GLOBALFOUNDRIES结合分离栅极单元SuperFlash技术的55 nm工艺经认证测试符合JEDEC标准。同时,这一工艺技术还满足在-40°C至125°C的环境温度范围下AEC-Q100 1级认证标准,耐用性达到10万次的擦写周期,可实现150°C条件下超过20年的数据保存年限。

根据全球知名信息咨询公司IHS预测,2015年汽车半导体市场规模将达到310亿美元,相比2014年增幅可高达7.5%。而基于嵌入式闪存的半导体产品则在这一市场占有相当大的比重。

配备eNVM技术的GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx/RF平台现已开始投放市场。该平台技术备有一个自定义库,包含针对特定MCU产品应用而优化的现成eNVM IP模块,是一款可大幅缩短产品开发周期的解决方案。

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