●Applied Centura Avatar系统克服挑战，刻蚀全新的三维NAND闪存芯片

●在同一工艺中实现80:1深宽比结构和渐变深度差异很大结构的刻蚀

●已经向客户交付30多个腔体

日前，应用材料公司推出了Applied Centura AvatarTM电介质刻蚀系统，提升了尖端刻蚀技术。该突破性系统能够解决三维存储结构制造过程中所面临的最严峻的挑战，提供未来数据密集型移动终端所需的高密度万亿比特存储能力。

应用材料公司副总裁兼刻蚀事业部总经理Prabu Raja博士表示：“借助Avatar系统，我们能够充分利用自身在等离子技术领域的领先优势，应对三维存储结构制造过程中前所未有的挑战。制造这些存储结构需要对复杂的多重叠层材料进行深度刻蚀。客户对于这款新系统所具备的突破性功能非常感兴趣。我们已经向多家客户交付了30多个针对关键应用的腔体，有些被用于未来存储芯片的试生产”。

Avatar系统经过全新设计，能够刻蚀三维NAND存储阵列标志性的高深宽比结构。这一令人兴奋的新型闪存器件有多达64层的存储单元垂直重叠于其中，从而在极小区域内获得超高的比特密度。

该系统能以高达80∶1的深宽比，在复杂的薄膜叠层中刻蚀通孔和沟槽。此外，这款系统还同时实现了精确刻蚀渐变深度差异很大的结构目标——这对于制造将每层存储单元与外界相连接的“阶梯式”接触结构至关重要。

Avatar系统是应用材料公司将在SEMICON West 2012展会(7月10-12日)上展示的多个全新芯片制造技术之一。请登陆www.appliedmaterials.com/semicon-west-2012了解应用材料公司在该展会之前及期间的更多信息。