宏力半导体宣布成功建立国内首个0.18 μm
2012-03-30
电子工业专用设备 2012年7期
上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”),专注于差异化技术的半导体制造领先企业,宣布成功建立国内首个0.18 μm“超低漏电”(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式闪存工艺平台。
0.18 μm“超低漏电”嵌入式闪存工艺平台由宏力半导体自主开发完成。此次推出的“超低漏电”工艺平台在宏力半导体现有的0.18 μm“低功耗”(Low-Power,LP)工艺平台上实现了进一步技术提升,其N/P晶体管在1.8 V操作电压下可分别输出与“低功耗”工艺等同的525/205 μA/μm驱动电流,但其N/P管静态漏电分别仅为0.6 pA/μm和0.2 pA/μm,达到业界领先水平。
0.18 μm“超低漏电”嵌入式闪存工艺平台生产的芯片具有超低漏电(小于1pA/μm)、静态功耗低的特点,在电池容量有限的情况下能够提供更长的待机时间。基于该平台生产的低功耗微控制器(MCU)、触摸屏控制芯片(TouchPanelController)主要适用于平板电脑、数码相机和手机等手持式便携设备。