恩智浦半导体日前推出业内首款2 mm×2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN（分立式扁平无引脚）封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。

即将面世的新型PMPB11EN和PMPB20EN30VN沟道MOSFET是采用恩智浦DFN2020MD-6(SOT1220)封装的20多类器件中率先推出的两款产品。这两款MOSFET的最大漏极电流(ID)大于10 A、10 V时的超低导通电阻Rds(on)分别为12 mΩ（典型值）和 16.5 mΩ（典型值），因此导通损失小，功耗更低，电池使用寿命更长。

新型 DFN2020MOSFET高度仅为 0.6 mm，比当今市场上大多数2 mm×2 mm的产品更加轻薄，是智能手机和平板电脑等便携应用设备中超小型负载开关、电源转换器和充电开关的理想之选。该款MOSFET还适用于其他空间受限应用，其中包括直流电机、服务器和网络通信以及LED照明，在这类应用中功率密度和效率尤为关键。DFN2020的封装尺寸仅为标准SO8封装的八分之一，提供与其相当的热阻，能够代替具有相同导通电阻Rds(on)值范围的许多大型MOSFET封装，如SO8封装、3 mm×3 mm封装或TSSOP8封装。

新型MOSFET提升了恩智浦超小型无引脚MOSFET产品线，截止到今年年末将有超过60种封装，封装尺寸为2 mm×2 mm或1 mm×0.6 mm。如今，恩智浦是超小型低导通电阻Rds(on)MOSFET的主要生产商，提供电平场效应晶体管(FET)和双极晶体管技术。