参考网


Cree推出新型650V碳化硅肖特基二极管助力先进高能效数据中心电源系统设计

2011-01-19 07:03:40 《现代显示》 2011年2期

科锐(Cree)公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V结型肖特基势垒(JBS)二极管系列,以满足最新数据中心电源系统要求。新型JBS二极管的阻断电压为650V,能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算,这样可以将能效提高多达5%。由于数据中心的耗电量几乎占全球年耗电量的10%,任何水平的能效提升都会有助于大幅降低总体能耗。

常规开关电源一般输入电压范围为90~264V,可以支持世界各地的各种交流输入电源。现有的数据中心电源架构一般采用本地供电单位提供的三相/480V电源。三相/480V电源经电力变压器降压为三相/208V电源,并经进一步处理后作为服务器电源的输入电源。由于变压器的损耗,这种做法会降低总效率。

近期数据中心电源系统的发展趋势要求取消480V到208V的降压过程,以提高数据中心的总效率。现在服务器电源有望直接从三相/480V相电压获得90~305V更宽泛的通用线电压(277V+10%的安全范围),而不再从三相/208V相电压获得120V交流电压。这种架构无需使用降压变压器,也就避免了相关的能耗及成本支出。

要让具有90~305V宽泛输入电压范围的服务器电源系统理想运行,就要求像肖特基二极管这样的功率电源器件具有高至650V的最大阻断电压。Cree最新推出的650V额定器件为设计人员设计先进的数据中心和通信设备电源系统时提供了理想的解决方案,新款Z-Rec碳化硅二极管不仅提供了这些先进电源系统需要的650V阻断电压,而且与硅器件相比还能够消除反向恢复损耗,进一步降低能耗。

Cree 电源与射频部副总裁兼总经理Cengiz Balkas解释说:“碳化硅技术对开发新一代先进的高能效数据中心电源系统设计至关重要,因为它基本上消除了二极管的开关损耗。众所周知,开关损耗是导致传统硅器件能效低的主要原因,因此采用碳化硅器件取代硅器件可以将电源的功率因数校正级的效率提升2个百分点,从而与单纯的架构修改相比能够带来更大的总效率提升。”

C3DXX065A系列是650V Z-Rec肖特基二极管系列的首批产品,提供4A、6A、8A和10A四种规格,均采用TO-220-2封装,所有器件的额定工作温度范围为 -55~+175℃。C3DXX065A系列器件已经通过全面认证并正式交付生产。