飞兆半导体公司推出具高效率和出色热性能，并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方案的MOSFET产品系列，可应对工业、计算和电信系统对更高效率和功率密度的设计挑战。

FDMC7570S是采用3mm×3mm MLP 封装、具有业界最低RDS（ON）的25V MOSFET器件，可提供无与伦比的效率和结温性能。FDMC7570S在10VGS 下的RDS（ON）为1.6mΩ，在4.5VGS下则为2.3mΩ，其传导损耗更比其他外形尺寸相同的替代解决方案降低50%，为设计人员提供了目前最高的功率密度。所有这些改进都是飞兆半导体性能先进的专有PowerTrench®工艺技术的成果，这项技术带来了极低的RDS（ON）值、总体栅极电荷（QG）和米勒电荷（QGD）。FDMC7570S另一优势为其专有的屏蔽栅极架构，可以减少高频开关噪声。

此外，FDMC7570S的输出电容（COSS）和反向恢复电荷（Qrr）均被降至最低，以减少降压转换中同步MOSFET的损耗，从而获得目前同类器件所无法匹敌的高峰值效率。

除25V FDMC7570S之外，飞兆半导体的全新MOSFET产品还包括30V FDMC7660S和FDMC7660，这些MOSFET器件均采用超紧凑3.3mm×3.3mm Power33 MLP封装，是飞兆半导体全面广泛的MOSFET产品系列的一部分，可为电源设计提供出色的优势。 （本刊通讯员）