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PIN光敏二极管和NPN平面光敏三极管

2010-04-04

电子设计工程 2010年8期
关键词:光电流无铅三极管

Vishay Intertechnology,Inc.推出通过AEC-Q101认证的新款VEMD25x0X01高速硅PIN光敏二极管和VEMT25x0X01 NPN平面光敏三极管,扩充其光电子产品组合。器件采用1.8 mm的鸥翼式和倒鸥翼式表面贴装封装,光探测器可检测到可见光和近红外辐射,采用2.3 mm×2.3 mm×2.8 mm的紧凑占位。所发布的器件针对仪表、汽车和打印机应用中的光幕、微型开关、编码器和光遮挡器进行了优化,探测器可在接近探测应用中探测可见光和红外发射源。

光敏二极管的光电流为12 μA,光谱感光范围为350~1120 nm,光敏三极管的光电流为6 mA,光谱感光范围470~1090 nm。VEMD25x0X01和VEMT25x0X01器件的暗电流为1nA,半感光角为±15°,温度范围为-40~+100℃,可搭配高亮度、高速VSMB20x0X01中的红外发射器。

多数光探测器的潮湿敏感度等级只能达到3,必须在打开包装或去掉保护包装后的72小时内安装完毕,而VEMD25x0X01和VEMT25x0X01器件的潮湿敏感度等级达到J-STD-020规定的2a,在打开包装后可以在工厂存放最多四周的时间。光探测器支持符合RoHS 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC规范的无铅工艺,符合IEC 61249-2-21制定的无卤素规定,兼容无铅回流焊组装工艺。

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